DXTN07045DFG-7, Bipolar Transistors - BJT Pwr Mid Perf Transistor

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

750 ֏

от 10 шт. — 660 ֏

от 100 шт. — 405 ֏

от 500 шт. — 306 ֏

1 шт. на сумму 750 ֏

Номенклатурный номер: 8005059744

Бренд: DIODES INC.

Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\Bipolar Transistors - BJT

Биполярные транзисторы - BJT Pwr Mid Perf Transistor

Pd - рассеивание мощности	3.1 W
Вид монтажа	SMD/SMT
Категория продукта	Биполярные транзисторы - BJT
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)	400
Конфигурация	Single
Максимальная рабочая температура	+ 175 C
Максимальный постоянный ток коллектора	3 A
Минимальная рабочая температура	55 C
Напряжение коллектор-база (VCBO)	45 V
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.	45 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер	140 mV
Напряжение эмиттер-база (VEBO)	7 V
Непрерывный коллекторный ток	3 A
Подкатегория	Transistors
Полярность транзистора	NPN
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT)	150 MHz
Размер фабричной упаковки	2000
Технология	Si
Тип продукта	BJTs - Bipolar Transistors
Торговая марка	Diodes Incorporated
Упаковка / блок	PowerDI3333-8
Вес, г	60