DXTN10060DFJBWQ-7, Bipolar Transistors - BJT SS Low Sat Transist
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
580 ֏
от 10 шт. —
484 ֏
от 100 шт. —
317 ֏
от 500 шт. —
238 ֏
1 шт.
на сумму 580 ֏
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\Bipolar Transistors - BJT
Биполярные транзисторы - BJT SS Low Sat Transist
Технические параметры
| Pd - рассеивание мощности | 1.8 W |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Категория продукта | Биполярные транзисторы - BJT |
| Квалификация | AEC-Q101 |
| Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 250 at 10 mA, 2 V |
| Конфигурация | Single |
| Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс. | 550 at 10 mA, 2 V |
| Максимальная рабочая температура | + 175 C |
| Максимальный постоянный ток коллектора | 6 A |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Напряжение коллектор-база (VCBO) | 100 V |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 60 V |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 240 mV |
| Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 8 V |
| Непрерывный коллекторный ток | 4 A |
| Подкатегория | Transistors |
| Полярность транзистора | NPN |
| Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) | 125 MHz |
| Размер фабричной упаковки | 3000 |
| Технология | Si |
| Тип продукта | BJTs - Bipolar Transistors |
| Торговая марка | Diodes Incorporated |
| Упаковка | Reel, Cut Tape |
| Упаковка / блок | W-DFN2020-3 |
| Collector Emitter Voltage Max | 60В |
| Continuous Collector Current | 4А |
| DC Current Gain hFE Min | 20hFE |
| DC Усиление Тока hFE | 20hFE |
| Power Dissipation | 1.8Вт |
| Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
| Монтаж транзистора | Surface Mount |
| Стиль Корпуса Транзистора | WDFN2020 |
| Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) | MSL 1-Безлимитный |
| Частота Перехода ft | 125МГц |
| Вес, г | 30 |
Техническая документация
Datasheet DXTN10060DFJBWQ-7
pdf, 435 КБ
