DXTP3C60PS-13, Bipolar Transistors - BJT SS Low Sat Transistor

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

750 ֏

от 10 шт. — 660 ֏

от 100 шт. — 405 ֏

от 500 шт. — 324 ֏

1 шт. на сумму 750 ֏

Номенклатурный номер: 8005059757

Бренд: DIODES INC.

Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\Bipolar Transistors - BJT

Биполярные транзисторы - BJT SS Low Sat Transistor

Pd - рассеивание мощности	5 W
Вид монтажа	SMD/SMT
Категория продукта	Биполярные транзисторы - BJT
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)	75
Конфигурация	Single
Максимальная рабочая температура	+ 175 C
Максимальный постоянный ток коллектора	3 A
Минимальная рабочая температура	55 C
Напряжение коллектор-база (VCBO)	60 V
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.	60 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер	240 mV
Напряжение эмиттер-база (VEBO)	7 V
Непрерывный коллекторный ток	3 A
Подкатегория	Transistors
Полярность транзистора	PNP
Размер фабричной упаковки	2500
Технология	Si
Тип продукта	BJTs - Bipolar Transistors
Торговая марка	Diodes Incorporated
Упаковка	Reel, Cut Tape
Упаковка / блок	PowerDI5060-8
Maximum Collector Emitter Voltage	-60 V
Maximum DC Collector Current	-3 A
Minimum DC Current Gain	150
Mounting Type	Surface Mount
Package Type	PowerDI5060-8
Pin Count	8
Transistor Type	PNP
Вес, г	1