DXTP5860CFDB-7, Bipolar Transistors - BJT Pwr Low Sat Transistor U-DFN2020-3 T&R 3K

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

580 ֏

от 10 шт. — 484 ֏

от 100 шт. — 326 ֏

от 500 шт. — 242 ֏

1 шт. на сумму 580 ֏

Номенклатурный номер: 8005059762

Бренд: DIODES INC.

Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\Bipolar Transistors - BJT

Биполярные транзисторы - BJT Pwr Low Sat Transistor U-DFN2020-3 T&R 3K

Pd - рассеивание мощности	0.69 W
Вид монтажа	SMD/SMT
Категория продукта	Биполярные транзисторы - BJT
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)	140 at - 2 A, - 2 V
Конфигурация	Single
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс.	180 at - 2 A, - 2 V
Максимальная рабочая температура	+ 150 C
Максимальный постоянный ток коллектора	8 A
Минимальная рабочая температура	+ 55 C
Напряжение коллектор-база (VCBO)	60 V
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.	60 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер	155 mV
Напряжение эмиттер-база (VEBO)	7 V
Непрерывный коллекторный ток	4 A
Подкатегория	Transistors
Полярность транзистора	PNP
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT)	130 MHz
Размер фабричной упаковки	3000
Технология	Si
Тип продукта	BJTs - Bipolar Transistors
Торговая марка	Diodes Incorporated
Упаковка / блок	U-DFN2020-3
Вес, г	30