DZT5551Q-13, Bipolar Transistors - BJT Pwr Hi Voltage Transistor

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

660 ֏

от 10 шт. — 580 ֏

от 100 шт. — 357 ֏

1 шт. на сумму 660 ֏

Номенклатурный номер: 8005059798

Бренд: DIODES INC.

Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\Bipolar Transistors - BJT

Collector Emitter Voltage Max	160В
Continuous Collector Current	600мА
DC Current Gain hFE Min	30hFE
DC Усиление Тока hFE	30hFE
Power Dissipation	2Вт
Квалификация	AEC-Q101
Количество Выводов	3вывод(-ов)
Линейка Продукции	DZT Series
Максимальная Рабочая Температура	150°C
Монтаж транзистора	Surface Mount
Полярность Транзистора	NPN
Стиль Корпуса Транзистора	SOT-223
Частота Перехода ft	130МГц
Вес, г	280

Мы рекомендуем