DZT951-13, Bipolar Transistors - BJT 1W -60V -5A
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
800 ֏
от 10 шт. —
710 ֏
1 шт.
на сумму 800 ֏
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\Bipolar Transistors - BJT
Биполярные транзисторы - BJT 1W -60V -5A
Технические параметры
| Pd - рассеивание мощности | 3 W |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Высота | 1.65 mm |
| Длина | 6.7 mm |
| Категория продукта | Биполярные транзисторы - BJT |
| Конфигурация | Single |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Максимальный постоянный ток коллектора | 5 A |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Напряжение коллектор-база (VCBO) | 100 V |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 60 V |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 370 mV |
| Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 6 V |
| Непрерывный коллекторный ток | 5 A |
| Подкатегория | Transistors |
| Полярность транзистора | PNP |
| Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) | 120 MHz |
| Размер фабричной упаковки | 2500 |
| Серия | DZT951 |
| Технология | Si |
| Тип продукта | BJTs - Bipolar Transistors |
| Торговая марка | Diodes Incorporated |
| Упаковка / блок | SOT-223-4 |
| Ширина | 3.7 mm |
| Вес, г | 0.112 |
Техническая документация
Datasheet DZT951-13
pdf, 140 КБ
