DZTA42-13, Bipolar Transistors - BJT 1W 300V

Фото 1/2 DZTA42-13, Bipolar Transistors - BJT 1W 300V
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
580 ֏
от 10 шт.484 ֏
от 100 шт.313 ֏
от 500 шт.231 ֏
1 шт. на сумму 580 ֏
Номенклатурный номер: 8005059805
Бренд: DIODES INC.

Описание

Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\Bipolar Transistors - BJT
Описание Транзистор NPN, биполярный, 300В, 500мА, 2Вт, SOT223 Характеристики
Категория Транзистор
Тип биполярный
Вид NPN

Технические параметры

Brand: Diodes Incorporated
Collector- Base Voltage VCBO: 300 V
Collector- Emitter Voltage VCEO Max: 300 V
Collector-Emitter Saturation Voltage: 500 mV
Configuration: Single
Continuous Collector Current: 500 mA
DC Collector/Base Gain hfe Min: 25
Emitter- Base Voltage VEBO: 6 V
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: 2500
Gain Bandwidth Product fT: 50 MHz
Manufacturer: Diodes Incorporated
Maximum DC Collector Current: 500 mA
Maximum Operating Temperature: +150 C
Minimum Operating Temperature: -55 C
Mounting Style: SMD/SMT
Package / Case: SOT-223-4
Pd - Power Dissipation: 1 W
Product Category: Bipolar Transistors-BJT
Product Type: BJTs-Bipolar Transistors
Series: DZTA42
Subcategory: Transistors
Technology: Si
Transistor Polarity: NPN
Вес, г 0.11

Техническая документация

Datasheet
pdf, 551 КБ