FMMT458QTA, Bipolar Transistors - BJT 400V NPN High Volt 225mA 1A 100mA

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

580 ֏

от 100 шт. — 357 ֏

от 500 шт. — 265 ֏

1 шт. на сумму 580 ֏

Номенклатурный номер: 8005059825

Бренд: DIODES INC.

Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\Bipolar Transistors - BJT

Биполярные транзисторы - BJT 400V NPN High Volt 225mA 1A 100mA

Pd - рассеивание мощности	500 mW (1/2 W)
Вид монтажа	SMD/SMT
Категория продукта	Биполярные транзисторы - BJT
Квалификация	AEC-Q101
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)	15
Конфигурация	Single
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс.	300
Максимальная рабочая температура	+ 150 C
Минимальная рабочая температура	55 C
Напряжение коллектор-база (VCBO)	400 V
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.	400 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер	0.5 V
Напряжение эмиттер-база (VEBO)	7 V
Непрерывный коллекторный ток	225 mA
Подкатегория	Transistors
Полярность транзистора	NPN
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT)	50 MHz
Размер фабричной упаковки	3000
Серия	FMMT458
Технология	Si
Тип продукта	BJTs - Bipolar Transistors
Торговая марка	Diodes Incorporated
Упаковка / блок	SOT-23-3
Вес, г	0.008