FMMT459QTA, Bipolar Transistors - BJT SS Hi Voltage Trans

FMMT459QTA, Bipolar Transistors - BJT SS Hi Voltage Trans
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
710 ֏
от 10 шт.620 ֏
от 100 шт.392 ֏
от 500 шт.319 ֏
1 шт. на сумму 710 ֏
Альтернативные предложения1
Номенклатурный номер: 8005059826
Бренд: DIODES INC.

Описание

Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\Bipolar Transistors - BJT
Биполярные транзисторы - BJT SS Hi Voltage Trans

Технические параметры

Pd - рассеивание мощности 625 mW
Вид монтажа SMD/SMT
Категория продукта Биполярные транзисторы - BJT
Квалификация AEC-Q101
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) 50 at 30 mA, 10 V
Конфигурация Single
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс. 120 at 30 mA, 10 V
Максимальная рабочая температура + 150 C
Максимальный постоянный ток коллектора 500 mA
Минимальная рабочая температура 55 C
Напряжение коллектор-база (VCBO) 500 V
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 450 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер 70 mV
Напряжение эмиттер-база (VEBO) 7 V
Непрерывный коллекторный ток 150 mA
Подкатегория Transistors
Полярность транзистора NPN
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) 50 MHz
Размер фабричной упаковки 3000
Технология Si
Тип продукта BJTs - Bipolar Transistors
Торговая марка Diodes Incorporated
Упаковка Reel, Cut Tape
Упаковка / блок SOT-23-3
Manufacturer Diodes Incorporated
Package / Case SOT-23-3
Packaging Tape и Reel(TR)
Вес, г 24

Техническая документация

Datasheet FMMT459QTA
pdf, 295 КБ