FMMT494QTA, Bipolar Transistors - BJT SSMidPerfTranstr
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
710 ֏
от 10 шт. —
530 ֏
от 100 шт. —
273 ֏
от 1000 шт. —
175 ֏
1 шт.
на сумму 710 ֏
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\Bipolar Transistors - BJT
Биполярные транзисторы - BJT SSMidPerfTranstr
Технические параметры
| Pd - рассеивание мощности | 500 mW |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Категория продукта | Биполярные транзисторы - BJT |
| Квалификация | AEC-Q101 |
| Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 20 |
| Конфигурация | Single |
| Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс. | 300 |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Максимальный постоянный ток коллектора | 1 A |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Напряжение коллектор-база (VCBO) | 140 V |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 120 V |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 300 mV |
| Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 7 V |
| Непрерывный коллекторный ток | 1 A |
| Подкатегория | Transistors |
| Полярность транзистора | NPN |
| Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) | 100 MHz |
| Размер фабричной упаковки | 3000 |
| Технология | Si |
| Тип продукта | BJTs - Bipolar Transistors |
| Торговая марка | Diodes Incorporated |
| Упаковка / блок | SOT-23-3 |
| Collector Emitter Voltage Max | 120В |
| Continuous Collector Current | 1А |
| DC Current Gain hFE Min | 20hFE |
| DC Усиление Тока hFE | 20hFE |
| Power Dissipation | 500мВт |
| Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
| Линейка Продукции | - |
| Монтаж транзистора | Surface Mount |
| Стиль Корпуса Транзистора | SOT-23 |
| Частота Перехода ft | 100МГц |
| Collector Current (Ic) | 1A |
| Collector Cut-Off Current (Icbo) | 100nA |
| Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vceo) | 120V |
| Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)@Ic,Ib) | 300mV@50mA, 500mA |
| DC Current Gain (hFE@Ic,Vce) | 100@250mA, 10V |
| Operating Temperature | -55℃~+150℃@(Tj) |
| Power Dissipation (Pd) | 500mW |
| Transistor Type | NPN |
| Transition Frequency (fT) | 100MHz |
| Вес, г | 0.008 |
Техническая документация
Datasheet FMMT494TA
pdf, 380 КБ
