FMMT495QTA, Bipolar Transistors - BJT SS Mid-Perf Transistor SOT23 T&R 3K
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
710 ֏
от 10 шт. —
580 ֏
от 100 шт. —
392 ֏
от 500 шт. —
297 ֏
1 шт.
на сумму 710 ֏
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\Bipolar Transistors - BJT
Технические параметры
| Brand: | Diodes Incorporated |
| Collector- Base Voltage VCBO: | 170 V |
| Collector- Emitter Voltage VCEO Max: | 150 V |
| Collector-Emitter Saturation Voltage: | 300 mV |
| Configuration: | Single |
| Emitter- Base Voltage VEBO: | 7 V |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 3000 |
| Gain Bandwidth Product fT: | 100 MHz |
| Manufacturer: | Diodes Incorporated |
| Maximum DC Collector Current: | 1 A |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Pd - Power Dissipation: | 500 mW |
| Product Category: | Bipolar Transistors-BJT |
| Product Type: | BJTs-Bipolar Transistors |
| Subcategory: | Transistors |
| Transistor Polarity: | NPN |
| Вес, г | 1 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 473 КБ
