FMMT593QTA, Bipolar Transistors - BJT 100V PNP High PWR Ic -1A Icm -2A

Фото 1/2 FMMT593QTA, Bipolar Transistors - BJT 100V PNP High PWR Ic -1A Icm -2A
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
620 ֏
от 10 шт.530 ֏
от 100 шт.339 ֏
от 500 шт.250 ֏
1 шт. на сумму 620 ֏
Номенклатурный номер: 8005059832
Бренд: DIODES INC.

Описание

Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\Bipolar Transistors - BJT
Биполярные транзисторы - BJT 100V PNP High PWR Ic -1A Icm -2A

Технические параметры

Категория продукта Биполярные транзисторы - BJT
Квалификация AEC-Q101
Подкатегория Transistors
Размер фабричной упаковки 3000
Серия FMMT593
Технология Si
Тип продукта BJTs - Bipolar Transistors
Торговая марка Diodes Incorporated
Упаковка / блок SOT-23-3
Collector Emitter Voltage Max 100В
Continuous Collector Current
DC Current Gain hFE Min 50hFE
DC Усиление Тока hFE 50hFE
Power Dissipation 500мВт
Количество Выводов 3вывод(-ов)
Максимальная Рабочая Температура 150°C
Монтаж транзистора Surface Mount
Полярность Транзистора PNP
Стиль Корпуса Транзистора SOT-23
Частота Перехода ft 50МГц
Вес, г 0.008

Техническая документация

Datasheet
pdf, 811 КБ
Datasheet FMMT593QTA
pdf, 398 КБ