FZT591AQTA, Bipolar Transistors - BJT Pwr Mid Perf Transistor SOT223 T&R 1K

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

1 150 ֏

от 10 шт. — 930 ֏

от 100 шт. — 620 ֏

1 шт. на сумму 1 150 ֏

Номенклатурный номер: 8005059835

Бренд: DIODES INC.

Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\Bipolar Transistors - BJT

Биполярные транзисторы - BJT Pwr Mid Perf Transistor SOT223 T&R 1K

Pd - рассеивание мощности	3 W
Вид монтажа	SMD/SMT
Категория продукта	Биполярные транзисторы - BJT
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)	300
Конфигурация	Single
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс.	800
Максимальная рабочая температура	+ 150 C
Максимальный постоянный ток коллектора	1 A
Минимальная рабочая температура	55 C
Напряжение коллектор-база (VCBO)	40 V
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.	40 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер	0.5 V
Напряжение эмиттер-база (VEBO)	7 V
Непрерывный коллекторный ток	1 A
Подкатегория	Transistors
Полярность транзистора	PNP
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT)	150 MHz
Размер фабричной упаковки	1000
Технология	Si
Тип продукта	BJTs - Bipolar Transistors
Торговая марка	Diodes Incorporated
Упаковка	Reel, Cut Tape
Упаковка / блок	SOT-223-3
Вес, г	0.112