MJD32C-13, Bipolar Transistors - BJT 100V 3A PNP SMT
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
800 ֏
от 10 шт. —
660 ֏
от 100 шт. —
418 ֏
от 500 шт. —
316 ֏
1 шт.
на сумму 800 ֏
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\Bipolar Transistors - BJT
Технические параметры
| Brand: | Diodes Incorporated |
| Collector- Base Voltage VCBO: | 100 V |
| Collector- Emitter Voltage VCEO Max: | 100 V |
| Collector-Emitter Saturation Voltage: | 1.2 V |
| Configuration: | Single |
| Emitter- Base Voltage VEBO: | 6 V |
| Factory Pack Quantity: | 2500 |
| Gain Bandwidth Product fT: | 3 MHz |
| Manufacturer: | Diodes Incorporated |
| Maximum DC Collector Current: | 3 A |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Package/Case: | TO-252-3 |
| Pd - Power Dissipation: | 2.1 W |
| Product Category: | Bipolar Transistors-BJT |
| Product Type: | BJTs-Bipolar Transistors |
| Subcategory: | Transistors |
| Technology: | Si |
| Transistor Polarity: | PNP |
| Вес, г | 0.33 |
Техническая документация
Datasheet MJD32C-13
pdf, 367 КБ
