MMBT2222AT-7-F, Bipolar Transistors - BJT 40V 150mW
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
344 ֏
от 10 шт. —
247 ֏
от 100 шт. —
115 ֏
от 1000 шт. —
77 ֏
1 шт.
на сумму 344 ֏
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\Bipolar Transistors - BJT
Биполярные транзисторы - BJT 40V 150mW
Технические параметры
| Pd - рассеивание мощности | 150 mW |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Высота | 0.75 mm |
| Длина | 1.6 mm |
| Категория продукта | Биполярные транзисторы - BJT |
| Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 75 |
| Конфигурация | Single |
| Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс. | 375 |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Максимальный постоянный ток коллектора | 0.6 A |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Напряжение коллектор-база (VCBO) | 75 V |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 40 V |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 1 V |
| Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 6 V |
| Непрерывный коллекторный ток | 0.6 A |
| Подкатегория | Transistors |
| Полярность транзистора | NPN |
| Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) | 300 MHz |
| Размер фабричной упаковки | 3000 |
| Серия | MMBT2222 |
| Тип продукта | BJTs - Bipolar Transistors |
| Торговая марка | Diodes Incorporated |
| Упаковка / блок | SOT-523-3 |
| Ширина | 0.8 mm |
| Base Product Number | MMBT2222 -> |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 600mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 10nA (ICBO) |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 100 @ 150mA, 10V |
| ECCN | EAR99 |
| Frequency - Transition | 300MHz |
| HTSUS | 8541.21.0075 |
| Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55В°C ~ 150В°C (TJ) |
| Package | Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ® |
| Package / Case | SOT-523 |
| Power - Max | 150mW |
| REACH Status | REACH Unaffected |
| RoHS Status | ROHS3 Compliant |
| Series | Automotive, AEC-Q101 -> |
| Supplier Device Package | SOT-523 |
| Transistor Type | NPN |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 1V @ 50mA, 500mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 40V |
| Brand | Diodes Incorporated |
| Collector- Base Voltage VCBO | 75 V |
| Collector- Emitter Voltage VCEO Max | 40 V |
| Collector-Emitter Saturation Voltage | 1 V |
| Configuration | Single |
| Continuous Collector Current | 0.6 A |
| DC Collector/Base Gain Hfe Min | 75 |
| DC Current Gain HFE Max | 375 |
| Emitter- Base Voltage VEBO | 6 V |
| Factory Pack Quantity | 3000 |
| Gain Bandwidth Product FT | 300 MHz |
| Manufacturer | Diodes Incorporated |
| Maximum DC Collector Current | 0.6 A |
| Maximum Operating Temperature | +150 C |
| Minimum Operating Temperature | -55 C |
| Mounting Style | SMD/SMT |
| Packaging | Cut Tape or Reel |
| Pd - Power Dissipation | 150 mW |
| Product Category | Bipolar Transistors-BJT |
| Product Type | BJTs-Bipolar Transistors |
| Subcategory | Transistors |
| Transistor Polarity | NPN |
| Maximum Collector Base Voltage | 75 V |
| Maximum Collector Emitter Voltage | 40 V |
| Maximum Emitter Base Voltage | 6 V |
| Maximum Operating Frequency | 300 MHz |
| Maximum Power Dissipation | 150 mW |
| Minimum DC Current Gain | 100 |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Package Type | SOT-523(SC-89) |
| Pin Count | 3 |
| Transistor Configuration | Single |
| Вес, г | 0.002 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 1680 КБ
Datasheet
pdf, 176 КБ
Datasheet MMBT2222AT-7-F
pdf, 539 КБ
Datasheet MMBT2222AT-7-F
pdf, 345 КБ
