MMBT3904LP-7B, Bipolar Transistors - BJT General Purpose Tran X1-DFN1006-3,10K
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
484 ֏
от 10 шт. —
326 ֏
от 100 шт. —
185 ֏
от 1000 шт. —
114 ֏
1 шт.
на сумму 484 ֏
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\Bipolar Transistors - BJT
Биполярные транзисторы - BJT General Purpose Tran X1-DFN1006-3,10K
Технические параметры
| Pd - рассеивание мощности | 1 W |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Высота | 0.5 mm |
| Длина | 1 mm |
| Категория продукта | Биполярные транзисторы - BJT |
| Конфигурация | Single |
| Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс. | 300 |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Максимальный постоянный ток коллектора | 200 mA |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Напряжение коллектор-база (VCBO) | 60 V |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 40 V |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 0.3 V |
| Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 6 V |
| Непрерывный коллекторный ток | 200 mA |
| Подкатегория | Transistors |
| Полярность транзистора | NPN |
| Размер фабричной упаковки | 10000 |
| Серия | MMBT3904LP |
| Технология | Si |
| Тип продукта | BJTs - Bipolar Transistors |
| Торговая марка | Diodes Incorporated |
| Упаковка / блок | X1-DFN1006-3 |
| Ширина | 0.6 mm |
| Collector Emitter Voltage Max | 40В |
| Continuous Collector Current | 200мА |
| DC Current Gain hFE Min | 30hFE |
| DC Усиление Тока hFE | 30hFE |
| Power Dissipation | 400мВт |
| Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
| Монтаж транзистора | Surface Mount |
| Стиль Корпуса Транзистора | X1-DFN1006 |
| Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) | MSL 1-Безлимитный |
| Частота Перехода ft | 300МГц |
| Вес, г | 8 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 357 КБ
Datasheet MMBT3904LP-7B
pdf, 396 КБ
