MMBT3906FA-7B, Bipolar Transistors - BJT 40V PNP SM Trans 435mW -40V Vceo
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
484 ֏
от 10 шт. —
383 ֏
от 100 шт. —
203 ֏
от 1000 шт. —
119 ֏
1 шт.
на сумму 484 ֏
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\Bipolar Transistors - BJT
Биполярные транзисторы - BJT 40V PNP SM Trans 435mW -40V Vceo
Технические параметры
Pd - рассеивание мощности | 435 mW |
Вид монтажа | SMD/SMT |
Категория продукта | Биполярные транзисторы - BJT |
Конфигурация | Single |
Максимальная рабочая температура | + 150 C |
Максимальный постоянный ток коллектора | 500 mA |
Минимальная рабочая температура | 55 C |
Напряжение коллектор-база (VCBO) | 40 V |
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 40 V |
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 0.25 V |
Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 6 V |
Подкатегория | Transistors |
Полярность транзистора | PNP |
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) | 300 MHz |
Размер фабричной упаковки | 10000 |
Серия | MMBT39 |
Технология | Si |
Тип продукта | BJTs - Bipolar Transistors |
Торговая марка | Diodes Incorporated |
Упаковка / блок | X2-DFN0806-3 |
Вес, г | 8 |
Техническая документация
Datasheet MMBT3906FA-7B
pdf, 127 КБ