MMBT3906FZ-7B, Bipolar Transistors - BJT PNP 40Vceo 0.3W 250mW 250MHz
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
530 ֏
от 10 шт. —
484 ֏
от 100 шт. —
295 ֏
от 500 шт. —
218 ֏
1 шт.
на сумму 530 ֏
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\Bipolar Transistors - BJT
Описание ПНП 40В 0,2А 0,27Вт В 100-300 DFN0605 Характеристики Категория | Транзистор |
Тип | биполярный |
Вид | NPN |
Технические параметры
Brand: | Diodes Incorporated |
Collector- Base Voltage VCBO: | 40 V |
Collector- Emitter Voltage VCEO Max: | 40 V |
Collector-Emitter Saturation Voltage: | 400 mV |
Configuration: | Single |
Continuous Collector Current: | -200 mA |
DC Current Gain hFE Max: | 300 |
Emitter- Base Voltage VEBO: | 6 V |
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 10000 |
Gain Bandwidth Product fT: | 300 MHz |
Manufacturer: | Diodes Incorporated |
Maximum DC Collector Current: | 200 mA |
Maximum Operating Temperature: | +150 C |
Minimum Operating Temperature: | -55 C |
Mounting Style: | SMD/SMT |
Package / Case: | DFN0606-3 |
Pd - Power Dissipation: | 270 mW |
Product Category: | Bipolar Transistors-BJT |
Product Type: | BJTs-Bipolar Transistors |
Series: | MMBT39 |
Subcategory: | Transistors |
Technology: | Si |
Tradename: | MMBT3906 |
Transistor Polarity: | PNP |
Collector Emitter Voltage Max | 40В |
Continuous Collector Current | 200мА |
DC Current Gain hFE Min | 30hFE |
DC Усиление Тока hFE | 30hFE |
Power Dissipation | 925мВт |
Квалификация | - |
Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
Линейка Продукции | - |
Максимальная Рабочая Температура | 150°C |
Монтаж транзистора | Surface Mount |
Полярность Транзистора | PNP |
Стиль Корпуса Транзистора | X2-DFN0606 |
Частота Перехода ft | 300МГц |
Вес, г | 8 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 407 КБ