MMBT3906FZ-7B, Bipolar Transistors - BJT PNP 40Vceo 0.3W 250mW 250MHz

Фото 1/2 MMBT3906FZ-7B, Bipolar Transistors - BJT PNP 40Vceo 0.3W 250mW 250MHz
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
530 ֏
от 10 шт.484 ֏
от 100 шт.295 ֏
от 500 шт.218 ֏
1 шт. на сумму 530 ֏
Номенклатурный номер: 8005060022
Бренд: DIODES INC.

Описание

Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\Bipolar Transistors - BJT
Описание ПНП 40В 0,2А 0,27Вт В 100-300 DFN0605 Характеристики
Категория Транзистор
Тип биполярный
Вид NPN

Технические параметры

Brand: Diodes Incorporated
Collector- Base Voltage VCBO: 40 V
Collector- Emitter Voltage VCEO Max: 40 V
Collector-Emitter Saturation Voltage: 400 mV
Configuration: Single
Continuous Collector Current: -200 mA
DC Current Gain hFE Max: 300
Emitter- Base Voltage VEBO: 6 V
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: 10000
Gain Bandwidth Product fT: 300 MHz
Manufacturer: Diodes Incorporated
Maximum DC Collector Current: 200 mA
Maximum Operating Temperature: +150 C
Minimum Operating Temperature: -55 C
Mounting Style: SMD/SMT
Package / Case: DFN0606-3
Pd - Power Dissipation: 270 mW
Product Category: Bipolar Transistors-BJT
Product Type: BJTs-Bipolar Transistors
Series: MMBT39
Subcategory: Transistors
Technology: Si
Tradename: MMBT3906
Transistor Polarity: PNP
Collector Emitter Voltage Max 40В
Continuous Collector Current 200мА
DC Current Gain hFE Min 30hFE
DC Усиление Тока hFE 30hFE
Power Dissipation 925мВт
Квалификация -
Количество Выводов 3вывод(-ов)
Линейка Продукции -
Максимальная Рабочая Температура 150°C
Монтаж транзистора Surface Mount
Полярность Транзистора PNP
Стиль Корпуса Транзистора X2-DFN0606
Частота Перехода ft 300МГц
Вес, г 8

Техническая документация

Datasheet
pdf, 407 КБ