MMBT3906LP-7B, Bipolar Transistors - BJT General Purpose Tran X1-DFN1006-3,10K

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

335 ֏

от 10 шт. — 260 ֏

от 100 шт. — 137 ֏

от 1000 шт. — 103 ֏

1 шт. на сумму 335 ֏

Номенклатурный номер: 8005060023

Бренд: DIODES INC.

Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\Bipolar Transistors - BJT

Биполярные транзисторы - BJT General Purpose Tran X1-DFN1006-3,10K

Pd - рассеивание мощности	250 mW
Вид монтажа	SMD/SMT
Категория продукта	Биполярные транзисторы - BJT
Максимальная рабочая температура	+ 150 C
Минимальная рабочая температура	55 C
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.	40 V
Напряжение эмиттер-база (VEBO)	5 V
Непрерывный коллекторный ток	200 mA
Подкатегория	Transistors
Полярность транзистора	PNP
Размер фабричной упаковки	10000
Серия	MMBT39
Тип продукта	BJTs - Bipolar Transistors
Торговая марка	Diodes Incorporated
Упаковка / блок	X1-DFN1006-3
Вес, г	1