MMDT4146-7-F, Bipolar Transistors - BJT NPN BIPOLAR
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
436 ֏
от 10 шт. —
326 ֏
от 100 шт. —
176 ֏
от 1000 шт. —
128 ֏
1 шт.
на сумму 436 ֏
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\Bipolar Transistors - BJT
Биполярные транзисторы - BJT NPN BIPOLAR
Технические параметры
| Pd - рассеивание мощности | 200 mW |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Высота | 1 mm |
| Длина | 2.2 mm |
| Категория продукта | Биполярные транзисторы - BJT |
| Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 120 |
| Конфигурация | Dual |
| Максимальный постоянный ток коллектора | 0.2 A |
| Напряжение коллектор-база (VCBO) | 30 V |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 25 V |
| Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 5 V |
| Подкатегория | Transistors |
| Полярность транзистора | NPN, PNP |
| Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) | 300 MHz |
| Размер фабричной упаковки | 3000 |
| Серия | MMDT41 |
| Тип продукта | BJTs - Bipolar Transistors |
| Торговая марка | Diodes Incorporated |
| Упаковка / блок | SOT-363-6 |
| Ширина | 1.35 mm |
| Maximum Collector Base Voltage | 30 V |
| Maximum Collector Emitter Voltage | 25 V |
| Maximum DC Collector Current | 200 mA |
| Maximum Emitter Base Voltage | 5 V |
| Maximum Operating Frequency | 300 MHz |
| Maximum Power Dissipation | 200 mW |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Number of Elements per Chip | 2 |
| Package Type | SOT-363(SC-88) |
| Pin Count | 6 |
| Transistor Configuration | Isolated |
| Transistor Type | NPN/PNP |
| Вес, г | 0.006 |
