MMDTA06-7, Bipolar Transistors - BJT SS Mid-Perf TRANS
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
660 ֏
от 10 шт. —
530 ֏
от 100 шт. —
269 ֏
от 1000 шт. —
171 ֏
1 шт.
на сумму 660 ֏
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\Bipolar Transistors - BJT
Технические параметры
| Brand: | Diodes Incorporated |
| Collector- Base Voltage VCBO: | 100 V |
| Collector- Emitter Voltage VCEO Max: | 80 V |
| Collector-Emitter Saturation Voltage: | 250 mV |
| Configuration: | Dual |
| Emitter- Base Voltage VEBO: | 6 V |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 3000 |
| Gain Bandwidth Product fT: | 163 MHz |
| Manufacturer: | Diodes Incorporated |
| Maximum DC Collector Current: | 500 mA |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Package / Case: | SOT-26-6 |
| Pd - Power Dissipation: | 1.28 W |
| Product Category: | Bipolar Transistors-BJT |
| Product Type: | BJTs-Bipolar Transistors |
| Series: | MMDTA |
| Subcategory: | Transistors |
| Technology: | Si |
| Transistor Polarity: | NPN |
| Вес, г | 0.01 |
Техническая документация
Datasheet MMDTA06-7
pdf, 419 КБ
