MMST3904Q-7-F, Bipolar Transistors - BJT 60V NPN 40Vceo 200mA 200mW
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
484 ֏
от 10 шт. —
308 ֏
от 100 шт. —
119 ֏
от 1000 шт. —
78 ֏
1 шт.
на сумму 484 ֏
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\Bipolar Transistors - BJT
Биполярные транзисторы - BJT 60V NPN 40Vceo 200mA 200mW
Технические параметры
| Pd - рассеивание мощности | 200 mW |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Категория продукта | Биполярные транзисторы - BJT |
| Квалификация | AEC-Q101 |
| Конфигурация | Single |
| Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс. | 400 |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Напряжение коллектор-база (VCBO) | 60 V |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 40 V |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 0.3 V |
| Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 6 V |
| Непрерывный коллекторный ток | 200 mA |
| Подкатегория | Transistors |
| Полярность транзистора | NPN |
| Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) | 300 MHz |
| Размер фабричной упаковки | 3000 |
| Серия | MMST3904 |
| Технология | Si |
| Тип продукта | BJTs - Bipolar Transistors |
| Торговая марка | Diodes Incorporated |
| Упаковка / блок | SOT-323-3 |
| Collector Emitter Voltage Max | 40В |
| Continuous Collector Current | 200мА |
| DC Current Gain hFE Min | 30hFE |
| DC Усиление Тока hFE | 30hFE |
| Power Dissipation | 200мВт |
| Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
| Линейка Продукции | - |
| Монтаж транзистора | Surface Mount |
| Стиль Корпуса Транзистора | SOT-323 |
| Частота Перехода ft | 300МГц |
| Вес, г | 0.005 |
Техническая документация
Datasheet MMST3904Q-7-F
pdf, 284 КБ
