MMST5401Q-7-F, Bipolar Transistors - BJT SS Hi Voltage Transistor
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
423 ֏
от 10 шт. —
291 ֏
от 100 шт. —
115 ֏
от 1000 шт. —
73 ֏
1 шт.
на сумму 423 ֏
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\Bipolar Transistors - BJT
Биполярные транзисторы - BJT SS Hi Voltage Transistor
Технические параметры
Pd - рассеивание мощности | 200 mW |
Вид монтажа | SMD/SMT |
Категория продукта | Биполярные транзисторы - BJT |
Квалификация | AEC-Q101 |
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 50 |
Конфигурация | Single |
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс. | 240 |
Максимальная рабочая температура | + 150 C |
Максимальный постоянный ток коллектора | 200 mA |
Минимальная рабочая температура | 55 C |
Напряжение коллектор-база (VCBO) | 160 V |
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 150 V |
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 200 mV |
Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 5 V |
Непрерывный коллекторный ток | 200 mA |
Подкатегория | Transistors |
Полярность транзистора | PNP |
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) | 300 MHz |
Размер фабричной упаковки | 3000 |
Серия | MMST5401 |
Технология | Si |
Тип продукта | BJTs - Bipolar Transistors |
Торговая марка | Diodes Incorporated |
Упаковка / блок | SOT-323-3 |
Вес, г | 18 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 378 КБ