Главная › Электронные компоненты › Транзисторы › Биполярные (BJTs) › Diodes › MMSTA56-7-F, Bipolar Transistors - BJT -80V 200mW

MMSTA56-7-F, Bipolar Transistors - BJT -80V 200mW

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

620 ֏

от 10 шт. — 410 ֏

от 100 шт. — 159 ֏

от 1000 шт. — 112 ֏

1 шт. на сумму 620 ֏

Номенклатурный номер: 8005060141

Бренд: DIODES INC.

Описание

Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\Bipolar Transistors - BJT

Биполярные транзисторы - BJT -80V 200mW

Технические параметры

Brand:	Diodes Incorporated
Collector- Base Voltage VCBO:	80 V
Collector- Emitter Voltage VCEO Max:	80 V
Collector-Emitter Saturation Voltage:	250 mV
Configuration:	Single
Continuous Collector Current:	-500 mA
Emitter- Base Voltage VEBO:	4 V
Factory Pack Quantity:	3000
Gain Bandwidth Product fT:	50 MHz
Manufacturer:	Diodes Incorporated
Maximum DC Collector Current:	500 mA
Maximum Operating Temperature:	+150 C
Minimum Operating Temperature:	-55 C
Mounting Style:	SMD/SMT
Package / Case:	SOT-323-3
Pd - Power Dissipation:	200 mW
Product Category:	Bipolar Transistors-BJT
Product Type:	BJTs-Bipolar Transistors
Subcategory:	Transistors
Technology:	Si
Transistor Polarity:	PNP
Pd - рассеивание мощности	200 mW (1/5 W)
Вид монтажа	SMD/SMT
Высота	1 mm
Длина	2.2 mm
Категория продукта	Биполярные транзисторы - BJT
Конфигурация	Single
Максимальная рабочая температура	+ 150 C
Максимальный постоянный ток коллектора	0.5 A
Минимальная рабочая температура	55 C
Напряжение коллектор-база (VCBO)	80 V
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.	80 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер	0.25 V
Напряжение эмиттер-база (VEBO)	4 V
Непрерывный коллекторный ток	0.5 A
Подкатегория	Transistors
Полярность транзистора	PNP
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT)	50 MHz
Размер фабричной упаковки	3000
Серия	MMSTA
Тип продукта	BJTs - Bipolar Transistors
Торговая марка	Diodes Incorporated
Упаковка / блок	SOT-323-3
Ширина	1.35 mm
Вес, г	0.005