ZXTN19020CFFTA, Bipolar Transistors - BJT NPN 20V 7A
![Фото 1/2 ZXTN19020CFFTA, Bipolar Transistors - BJT NPN 20V 7A](https://static.chipdip.ru/lib/472/DOC018472445.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
![](https://static.chipdip.ru/lib/573/DOC021573767.jpg)
880 ֏
от 10 шт. —
750 ֏
от 100 шт. —
498 ֏
от 500 шт. —
400 ֏
1 шт.
на сумму 880 ֏
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\Bipolar Transistors - BJT
Технические параметры
Brand: | Diodes Incorporated |
Collector- Base Voltage VCBO: | 65 V |
Collector- Emitter Voltage VCEO Max: | 20 V |
Collector-Emitter Saturation Voltage: | 135 mV |
Configuration: | Single |
Continuous Collector Current: | 7 A |
DC Collector/Base Gain hfe Min: | 45 at 15 A, 2 V |
DC Current Gain hFE Max: | 500 at 100 mA, 2 V |
Emitter- Base Voltage VEBO: | 7 V |
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 3000 |
Gain Bandwidth Product fT: | 150 MHz |
Manufacturer: | Diodes Incorporated |
Maximum DC Collector Current: | 7 A |
Maximum Operating Temperature: | +150 C |
Minimum Operating Temperature: | -55 C |
Mounting Style: | SMD/SMT |
Package / Case: | SOT-23F-3 |
Pd - Power Dissipation: | 2 W |
Product Category: | Bipolar Transistors-BJT |
Product Type: | BJTs-Bipolar Transistors |
Series: | ZXTN19020 |
Subcategory: | Transistors |
Technology: | Si |
Transistor Polarity: | NPN |
Collector Emitter Voltage Max | 20В |
Continuous Collector Current | 7А |
DC Current Gain hFE Min | 100hFE |
DC Усиление Тока hFE | 100hFE |
Power Dissipation | 2Вт |
Квалификация | - |
Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
Линейка Продукции | - |
Максимальная Рабочая Температура | 150°C |
Монтаж транзистора | Surface Mount |
Полярность Транзистора | NPN |
Стиль Корпуса Транзистора | SOT-23F |
Частота Перехода ft | 150МГц |
Вес, г | 0.05 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 334 КБ