ZXTN19060CGTA, Bipolar Transistors - BJT NPN 60V 7A

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

970 ֏

от 10 шт. — 800 ֏

от 100 шт. — 530 ֏

от 500 шт. — 402 ֏

1 шт. на сумму 970 ֏

Номенклатурный номер: 8005061249

Бренд: DIODES INC.

Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\Bipolar Transistors - BJT

Биполярные транзисторы - BJT NPN 60V 7A

Pd - рассеивание мощности	5300 mW
Вид монтажа	SMD/SMT
Высота	1.65 mm
Длина	6.7 mm
Категория продукта	Биполярные транзисторы - BJT
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)	25 at 7 A, 2 V
Конфигурация	Single
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс.	500 at 100 mA, 2 V
Максимальная рабочая температура	+ 150 C
Максимальный постоянный ток коллектора	7 A
Минимальная рабочая температура	55 C
Напряжение коллектор-база (VCBO)	160 V
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.	60 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер	50 mV
Напряжение эмиттер-база (VEBO)	7 V
Непрерывный коллекторный ток	7 A
Подкатегория	Transistors
Полярность транзистора	NPN
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT)	130 MHz
Размер фабричной упаковки	1000
Серия	ZXTN19060
Технология	Si
Тип продукта	BJTs - Bipolar Transistors
Торговая марка	Diodes Incorporated
Упаковка / блок	SOT-223-4
Ширина	3.7 mm
Вес, г	0.112