F3L75R12W1H3_B27, IGBT Modules LOW POWER EASY
![F3L75R12W1H3_B27, IGBT Modules LOW POWER EASY](https://static.chipdip.ru/lib/007/DOC007007143.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
64 500 ֏
от 10 шт. —
53 200 ֏
от 24 шт. —
47 900 ֏
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 64 500 ֏
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\IGBT Modules
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT)
Технические параметры
Pd - рассеивание мощности | 275 W |
Вид монтажа | Clamp |
Другие названия товара № | F3L75R12W1H3B27BOMA1 SP001056132 |
Категория продукта | Модули биполярных транзисторов с изолированным зат |
Конфигурация | 3-Phase |
Максимальная рабочая температура | + 150 C |
Максимальное напряжение затвор-эмиттер | +/- 20 V |
Минимальная рабочая температура | 40 C |
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 1.2 kV |
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 1.45 V |
Непрерывный коллекторный ток при 25 C | 45 A |
Подкатегория | IGBTs |
Продукт | IGBT Silicon Modules |
Размер фабричной упаковки | 24 |
Тип продукта | IGBT Modules |
Ток утечки затвор-эмиттер | 100 nA |
Торговая марка | Infineon Technologies |
Упаковка | Tray |
Упаковка / блок | EasyPack1B |
Вес, г | 24 |
Техническая документация
Datasheet F3L75R12W1H3_B27
pdf, 1024 КБ