FF300R12KE3, IGBT Modules 1200V 300A DUAL
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
185 000 ֏
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 185 000 ֏
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\IGBT Modules
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 1200V 300A DUAL
Технические параметры
| Pd - рассеивание мощности | 1450 W |
| Вид монтажа | Chassis Mount |
| Высота | 30.9 mm |
| Длина | 106.4 mm |
| Другие названия товара № | SP000100736 FF300R12KE3HOSA1 |
| Категория продукта | Модули биполярных транзисторов с изолированным зат |
| Коммерческое обозначение | TRENCHSTOP |
| Конфигурация | Dual |
| Максимальная рабочая температура | + 125 C |
| Максимальное напряжение затвор-эмиттер | 20 V |
| Минимальная рабочая температура | 40 C |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 1200 V |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 1.7 V |
| Непрерывный коллекторный ток при 25 C | 300 A |
| Подкатегория | IGBTs |
| Размер фабричной упаковки | 10 |
| Серия | Trenchstop IGBT3 - E3 |
| Тип продукта | IGBT Modules |
| Ток утечки затвор-эмиттер | 400 nA |
| Торговая марка | Infineon Technologies |
| Упаковка | Tray |
| Упаковка / блок | IS5a ( 62 mm )-7 |
| Ширина | 61.4 mm |
| Вес, г | 337 |
Техническая документация
Datasheet FF300R12KE3
pdf, 378 КБ
