FF650R17IE4, IGBT Modules N-CH 1.7KV 930A
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
477 000 ֏
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 477 000 ֏
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\IGBT Modules
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) N-CH 1.7KV 930A
Технические параметры
| Pd - рассеивание мощности: | 4.15 kW |
| Вид монтажа: | Chassis Mount |
| Высота: | 38 mm |
| Длина: | 172 mm |
| Другие названия товара №: | SP000614664 FF650R17IE4BOSA1 |
| Коммерческое обозначение: | TRENCHSTOP PrimePACK |
| Конфигурация: | Dual |
| Максимальная рабочая температура: | + 150 C |
| Максимальное напряжение затвор-эмиттер: | 20 V |
| Минимальная рабочая температура: | - 40 C |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.: | 1700 V |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер: | 2.45 V |
| Непрерывный коллекторный ток при 25 C: | 930 A |
| Подкатегория: | IGBTs |
| Продукт: | IGBT Silicon Modules |
| Производитель: | Infineon |
| Размер фабричной упаковки: | 3 |
| Серия: | Trenchstop IGBT4 - E4 |
| Технология: | Si |
| Тип продукта: | IGBT Modules |
| Ток утечки затвор-эмиттер: | 400 nA |
| Торговая марка: | Infineon Technologies |
| Упаковка / блок: | PRIME2 |
| Упаковка: | Tray |
| Ширина: | 89 mm |
| Вес, г | 849 |
Техническая документация
Datasheet FF650R17IE4
pdf, 1694 КБ
