FP100R12KT4, IGBT Modules IGBT-MODULE
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
194 000 ֏
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 194 000 ֏
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\IGBT Modules
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT-MODULE
Технические параметры
| Pd - рассеивание мощности | 5.15 W |
| Вид монтажа | Chassis Mount |
| Высота | 17 mm |
| Длина | 122 mm |
| Другие названия товара № | SP000355578 FP100R12KT4BOSA1 |
| Категория продукта | Модули биполярных транзисторов с изолированным зат |
| Коммерческое обозначение | TRENCHSTOP EconoPIM |
| Конфигурация | 3-Phase |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Максимальное напряжение затвор-эмиттер | 20 V |
| Минимальная рабочая температура | 40 C |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 1200 V |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 2.1 V |
| Непрерывный коллекторный ток при 25 C | 100 A |
| Подкатегория | IGBTs |
| Продукт | IGBT Silicon Modules |
| Размер фабричной упаковки | 10 |
| Серия | Trenchstop IGBT4 - T4 |
| Технология | Si |
| Тип продукта | IGBT Modules |
| Ток утечки затвор-эмиттер | 100 nA |
| Торговая марка | Infineon Technologies |
| Упаковка | Tray |
| Упаковка / блок | Econo 3 |
| Ширина | 62 mm |
| Вес, г | 300 |
Техническая документация
Datasheet FP100R12KT4
pdf, 599 КБ
