FP50R12KE3, IGBT Modules 1200V 50A PIM
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
158 000 ֏
от 10 шт. —
128 000 ֏
от 20 шт. —
125 000 ֏
1 шт.
на сумму 158 000 ֏
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\IGBT Modules
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 1200V 50A PIM
Технические параметры
| Pd - рассеивание мощности | 270 W |
| Вид монтажа | Chassis Mount |
| Высота | 17 mm |
| Длина | 122 mm |
| Другие названия товара № | FP50R12KE3BOSA1 SP000101740 |
| Категория продукта | Модули биполярных транзисторов с изолированным зат |
| Конфигурация | Hex |
| Максимальная рабочая температура | + 125 C |
| Максимальное напряжение затвор-эмиттер | +/- 20 V |
| Минимальная рабочая температура | 40 C |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 1200 V |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 2.15 V |
| Непрерывный коллекторный ток при 25 C | 75 A |
| Подкатегория | IGBTs |
| Продукт | IGBT Silicon Modules |
| Размер фабричной упаковки | 10 |
| Тип продукта | IGBT Modules |
| Ток утечки затвор-эмиттер | 400 nA |
| Торговая марка | Infineon Technologies |
| Упаковка | Tray |
| Упаковка / блок | EconoPIM3 |
| Ширина | 62 mm |
| Вес, г | 300 |
Техническая документация
Datasheet FP50R12KE3
pdf, 506 КБ
