FS75R12KT3G, IGBT Modules N-CH 1.2KV 100A

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

181 000 ֏

от 10 шт. — 148 000 ֏

от 20 шт. — 142 000 ֏

Добавить в корзину 1 шт. на сумму 181 000 ֏

Номенклатурный номер: 8005074012

Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\IGBT Modules

Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) N-CH 1.2KV 100A

Pd - рассеивание мощности	455 W
Вид монтажа	Chassis Mount
Высота	17 mm
Длина	122 mm
Другие названия товара №	FS75R12KT3GBOSA1 SP000100438
Категория продукта	Модули биполярных транзисторов с изолированным зат
Конфигурация	Hex
Максимальная рабочая температура	+ 125 C
Максимальное напряжение затвор-эмиттер	+/- 20 V
Минимальная рабочая температура	40 C
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.	1200 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер	2.15 V
Непрерывный коллекторный ток при 25 C	100 A
Подкатегория	IGBTs
Продукт	IGBT Silicon Modules
Размер фабричной упаковки	10
Тип продукта	IGBT Modules
Ток утечки затвор-эмиттер	400 nA
Торговая марка	Infineon Technologies
Упаковка	Tray
Упаковка / блок	Econo 3
Ширина	62 mm
Вес, г	304.4