TN0104N3-G, MOSFETs 40V 1.8Ohm
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
1 500 ֏
от 100 шт. —
1 150 ֏
от 500 шт. —
960 ֏
1 шт.
на сумму 1 500 ֏
Описание
Unclassified
МОП-транзистор 40V 1.8Ohm
Технические параметры
| Id - непрерывный ток утечки | 450 mA |
| Pd - рассеивание мощности | 1 W |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 1.8 Ohms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 40 V |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 20 V |
| Вид монтажа | Through Hole |
| Время нарастания | 7 ns |
| Время спада | 5 ns |
| Высота | 5.33 mm |
| Длина | 5.21 mm |
| Канальный режим | Enhancement |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Конфигурация | Single |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Подкатегория | MOSFETs |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Размер фабричной упаковки | 1000 |
| Технология | Si |
| Тип | FET |
| Тип продукта | MOSFET |
| Тип транзистора | 1 N-Channel |
| Типичное время задержки выключения | 6 ns |
| Типичное время задержки при включении | 3 ns |
| Торговая марка | Microchip Technology |
| Упаковка | Bulk |
| Упаковка / блок | TO-92-3 |
| Ширина | 4.19 mm |
| Case | TO92 |
| Drain current | 0.45A |
| Drain-source voltage | 40V |
| Gate-source voltage | ±20V |
| Kind of channel | enhanced |
| Kind of package | bulk |
| Manufacturer | MICROCHIP TECHNOLOGY |
| Mounting | THT |
| On-state resistance | 1.8Ω |
| Polarisation | unipolar |
| Power dissipation | 1W |
| Pulsed drain current | 2.4A |
| Type of transistor | N-MOSFET |
| Вес, г | 0.2 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 666 КБ
