TN0606N3-G, MOSFETs 60V 1.5Ohm
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
1 370 ֏
от 100 шт. —
1 060 ֏
от 500 шт. —
860 ֏
1 шт.
на сумму 1 370 ֏
Описание
Unclassified
МОП-транзистор 60V 1.5Ohm
Технические параметры
Id - непрерывный ток утечки | 500 mA |
Pd - рассеивание мощности | 1 W |
Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 1.5 Ohms |
Vds - напряжение пробоя сток-исток | 60 V |
Vgs - напряжение затвор-исток | 10 V |
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 600 mV |
Вид монтажа | Through Hole |
Время нарастания | 14 ns |
Время спада | 16 ns |
Высота | 5.33 mm |
Длина | 5.21 mm |
Канальный режим | Enhancement |
Категория продукта | МОП-транзистор |
Количество каналов | 1 Channel |
Конфигурация | Single |
Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. | 400 mS |
Максимальная рабочая температура | + 150 C |
Минимальная рабочая температура | 55 C |
Подкатегория | MOSFETs |
Полярность транзистора | N-Channel |
Размер фабричной упаковки | 1000 |
Технология | Si |
Тип | FET |
Тип продукта | MOSFET |
Тип транзистора | 1 N-Channel |
Типичное время задержки выключения | 16 ns |
Типичное время задержки при включении | 6 ns |
Торговая марка | Microchip Technology |
Упаковка | Bulk |
Упаковка / блок | TO-92-3 |
Ширина | 4.19 mm |
Base Product Number | TN0606 -> |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C | 500mA (Tj) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 60V |
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 3V, 10V |
ECCN | EAR99 |
FET Type | N-Channel |
HTSUS | 8541.29.0095 |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 150pF @ 25V |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
Mounting Type | Through Hole |
Operating Temperature | -55В°C ~ 150В°C (TJ) |
Package | Bulk |
Package / Case | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) |
PCN Packaging | http://www.microchip.com/mymicrochip/NotificationD |
Power Dissipation (Max) | 1W (Tc) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.5Ohm @ 750mA, 10V |
REACH Status | REACH Unaffected |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Supplier Device Package | TO-92-3 |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
Vgs (Max) | В±20V |
Vgs(th) (Max) @ Id | 2V @ 1mA |
Channel Type | N Channel |
Drain Source On State Resistance | 1Ом |
Power Dissipation | 1Вт |
Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
Монтаж транзистора | Through Hole |
Напряжение Измерения Rds(on) | 10В |
Напряжение Истока-стока Vds | 60В |
Непрерывный Ток Стока | 500мА |
Пороговое Напряжение Vgs | 2В |
Рассеиваемая Мощность | 1Вт |
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 1Ом |
Стиль Корпуса Транзистора | TO-92 |
Maximum Drain Source Voltage | 60 V |
Package Type | TO-92 |
Case | TO92 |
Drain-source voltage | 60V |
Gate-source voltage | ±20V |
Kind of channel | enhanced |
Kind of package | bulk |
Manufacturer | MICROCHIP TECHNOLOGY |
Mounting | THT |
On-state resistance | 1.5Ω |
Polarisation | unipolar |
Pulsed drain current | 3A |
Type of transistor | N-MOSFET |
Вес, г | 0.4536 |