2ED2182S06FXUMA1, Gate Drivers LEVEL SHIFT SOI
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
3 070 ֏
от 10 шт. —
2 400 ֏
от 100 шт. —
1 990 ֏
от 250 шт. —
1 750 ֏
1 шт.
на сумму 3 070 ֏
Описание
Power\Power Management ICs\Gate Drivers
The Infineon 2ED2182S06F is a high voltage, high speed power MOSFET and IGBT driver with independent high and low side referenced output channels.
Технические параметры
IC Case / Package | SOIC |
Задержка Выхода | 200нс |
Задержка по Входу | 200нс |
Количество Выводов | 8вывод(-ов) |
Количество Каналов | 1канал(-ов) |
Конфигурация Привода | Полумост |
Максимальная Рабочая Температура | 125°C |
Максимальное Напряжение Питания | 20В |
Минимальная Рабочая Температура | -40°C |
Минимальное Напряжение Питания | 10В |
Стиль Корпуса Привода | SOIC |
Тип переключателя питания | IGBT, MOSFET |
Ток истока | 2.5А |
Ток стока | 2.5А |
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) | MSL 3-168 часов |
Fall Time | 30ns |
Output Current | 2.5 A |
Package Type | DSO |
Pin Count | 8 |
Supply Voltage | 20V |
Вес, г | 0.2338 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 2172 КБ
Datasheet 2ED2182S06FXUMA1
pdf, 1027 КБ