2ED21844S06JXUMA1, Gate Drivers Y
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
3 000 ֏
от 10 шт. —
2 510 ֏
от 100 шт. —
1 930 ֏
от 250 шт. —
1 700 ֏
1 шт.
на сумму 3 000 ֏
Описание
Power\Power Management ICs\Gate Drivers
The Infineon 650 V half-bridge gate driver with integrated bootstrap diode has unique Infineon Thin-Film-Silicon on Insulator (SOI)-Technology and Interlocking function with internal 400 ns dead time and programmable up to 5 us with external resistor.
Технические параметры
| Fall Time | 30ns |
| Output Current | 2.5 A |
| Package Type | DSO-14 |
| Pin Count | 14 |
| Supply Voltage | 25V |
| IC Case / Package | SOIC |
| Задержка Выхода | 200нс |
| Задержка по Входу | 600нс |
| Количество Выводов | 14вывод(-ов) |
| Количество Каналов | 1канал(-ов) |
| Конфигурация Привода | Полумост |
| Максимальная Рабочая Температура | 125°C |
| Максимальное Напряжение Питания | 20В |
| Минимальная Рабочая Температура | -40°C |
| Минимальное Напряжение Питания | 10В |
| Стиль Корпуса Привода | SOIC |
| Тип переключателя питания | IGBT, MOSFET |
| Ток истока | 2.5А |
| Ток стока | 2.5А |
| Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) | MSL 3-168 часов |
| Вес, г | 0.1431 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 1066 КБ
Datasheet 2ED21844S06JXUMA1
pdf, 1092 КБ
