BGA7L1N6E6327XTSA1, RF Amplifier RF SILICON MMIC
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
1 280 ֏
от 10 шт. —
1 100 ֏
от 100 шт. —
790 ֏
от 500 шт. —
610 ֏
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 1 280 ֏
Описание
RF & Wireless\RF Integrated Circuits\RF Amplifier
BGA 7L1N6 E6327, SP001109134
Технические параметры
| Количество Выводов | 6вывод(-ов) |
| Максимальная Рабочая Температура | 85 C |
| Максимальная Частота | 960МГц |
| Максимальное Напряжение Питания | 3.3В |
| Минимальная Рабочая Температура | -40 C |
| Минимальная Частота | 728МГц |
| Минимальное Напряжение Питания | 1.5В |
| Стиль Корпуса Радиочастотной Микросхемы | TSNP |
| Типичное Значение Коэффициента Шума | 0.9дБ |
| Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) | MSL 1-Безлимитный |
| Усиление | 13.3дБ |
| Amplifier Type | Low Noise |
| Brand | Infineon Technologies |
| Factory Pack Quantity | 15000 |
| Frequency Range | 728 MHz to 960 MHz |
| Gain | 13.3 dB |
| Input Return Loss | 25 dB |
| Isolation dB | 25 dB |
| Manufacturer | Infineon |
| Maximum Operating Temperature | +85 C |
| Minimum Operating Temperature | -40 C |
| Mounting Style | SMD/SMT |
| NF - Noise Figure | 0.9 dB |
| Operating Frequency | 728 MHz to 960 MHz |
| Operating Supply Current | 4.5 mA |
| Operating Supply Voltage | 3.3 V |
| P1dB - Compression Point | -2 dBm |
| Package / Case | TSNP-6 |
| Packaging | Reel |
| Part # Aliases | 7L1N6 BGA E6327 SP001109134 |
| Pd - Power Dissipation | 60 mW |
| Product Category | RF Amplifier |
| RoHS | Details |
| Technology | SiGe |
| Type | LNA for LTE |
Техническая документация
Datasheet BGA7L1N6E6327XTSA1
pdf, 1320 КБ
