FF1200R12IE5PBPSA1, IGBT Modules PP IHM I
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
687 000 ֏
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 687 000 ֏
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\IGBT Modules
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) PRIMEPACK
Технические параметры
| Другие названия товара № | FF1200R12IE5P SP001657864 |
| Категория продукта | Модули биполярных транзисторов с изолированным зат |
| Коммерческое обозначение | PrimePACK |
| Подкатегория | IGBTs |
| Размер фабричной упаковки | 3 |
| Тип продукта | IGBT Modules |
| Торговая марка | Infineon Technologies |
| Упаковка | Tray |
| Channel Type | N |
| Configuration | Dual |
| Maximum Collector Emitter Voltage | 1200 V |
| Maximum Continuous Collector Current | 1.2 kA |
| Maximum Gate Emitter Voltage | 20V |
| Maximum Power Dissipation | 20 mW |
| Number of Transistors | 2 |
| Package Type | PRIME2 |
| Pin Count | 10 |
| Transistor Configuration | Dual |
| Collector Emitter Saturation Voltage | 1.7В |
| Collector Emitter Voltage Max | 1.2кВ |
| Continuous Collector Current | 1.2кА |
| DC Ток Коллектора | 1.2кА |
| Power Dissipation | 20мВт |
| Выводы БТИЗ | Stud |
| Количество Выводов | 10вывод(-ов) |
| Конфигурация БТИЗ | Dual(Half Bridge) |
| Линейка Продукции | PrimePACK 2 |
| Максимальная Рабочая Температура | 175°C |
| Максимальная Температура Перехода Tj | 175°C |
| Монтаж транзистора | Panel |
| Напряжение Коллектор-Эмиттер | 1.2кВ |
| Напряжение Насыщения Коллектор-Эмиттер Vce(on) | 1.7В |
| Полярность Транзистора | Двойной N Канал |
| Стиль Корпуса Транзистора | Module |
| Технология БТИЗ | IGBT 5(Trench/Field Stop) |
| Вес, г | 1 |
Техническая документация
Datasheet FF1200R12IE5PBPSA1
pdf, 578 КБ
Datasheet FF1200R12IE5PBPSA1
pdf, 619 КБ
