FF1500R12IE5BPSA1, IGBT Modules N
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
794 000 ֏
1 шт.
на сумму 794 000 ֏
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\IGBT Modules
The Infineon PrimePack dual IGBT module with TRENCHSTOP IGBT5 and.XT interconnection technology. It has collector emitter voltage of 1200 V.
Технические параметры
| Collector Emitter Saturation Voltage | 1.7В |
| Collector Emitter Voltage Max | 1.2кВ |
| Continuous Collector Current | 1.5кА |
| DC Ток Коллектора | 1.5кА |
| Выводы БТИЗ | Stud |
| Конфигурация БТИЗ | Dual |
| Линейка Продукции | PrimePACK 3+B |
| Максимальная Рабочая Температура | 175°C |
| Максимальная Температура Перехода Tj | 175°C |
| Монтаж транзистора | Panel |
| Напряжение Коллектор-Эмиттер | 1.2кВ |
| Напряжение Насыщения Коллектор-Эмиттер Vce(on) | 1.7В |
| Стиль Корпуса Транзистора | Module |
| Технология БТИЗ | IGBT 5(Trench/Field Stop) |
| Channel Type | N |
| Configuration | Dual |
| Maximum Collector Emitter Voltage | 1200 V |
| Maximum Continuous Collector Current | 1.5 kA |
| Maximum Gate Emitter Voltage | 20V |
| Maximum Power Dissipation | 20 mW |
| Number of Transistors | 2 |
| Package Type | PRIME3+ |
| Pin Count | 10 |
| Transistor Configuration | Dual |
| Вес, г | 1 |
