IGB15N65S5ATMA1, IGBT Transistors IGBT PRODUCTS
![Фото 1/3 IGB15N65S5ATMA1, IGBT Transistors IGBT PRODUCTS](https://static.chipdip.ru/lib/753/DOC006753048.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
![](https://static.chipdip.ru/lib/172/DOC012172378.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/036/DOC045036892.jpg)
2 490 ֏
от 10 шт. —
1 960 ֏
от 100 шт. —
1 460 ֏
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 2 490 ֏
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\IGBT Transistors
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) IGBT PRODUCTS
Технические параметры
Pd - рассеивание мощности | 105 W |
Вид монтажа | SMD/SMT |
Другие названия товара № | IGB15N65S5 SP001502560 |
Категория продукта | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (I |
Конфигурация | Single |
Максимальная рабочая температура | + 175 C |
Максимальное напряжение затвор-эмиттер | 20 V |
Минимальная рабочая температура | 40 C |
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 650 V |
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 1.35 V |
Непрерывный коллекторный ток при 25 C | 35 A |
Непрерывный ток коллектора Ic, макс. | 35 A |
Подкатегория | IGBTs |
Размер фабричной упаковки | 1000 |
Тип продукта | IGBT Transistors |
Ток утечки затвор-эмиттер | 100 nA |
Торговая марка | Infineon Technologies |
Упаковка | Reel, Cut Tape |
Упаковка / блок | TO-263-3 |
Collector Emitter Saturation Voltage | 1.35В |
Collector Emitter Voltage Max | 650В |
Continuous Collector Current | 35А |
Power Dissipation | 105Вт |
Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
Линейка Продукции | TRENCHSTOP 5 |
Монтаж транзистора | Surface Mount |
Стиль Корпуса Транзистора | TO-263(D2PAK) |
Maximum Power Dissipation | 105 W |
Package Type | PG-TO263-3 |
Вес, г | 1 |