IGB20N65S5ATMA1, IGBT Transistors IGBT PRODUCTS
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
2 720 ֏
от 10 шт. —
2 140 ֏
от 100 шт. —
1 620 ֏
от 500 шт. —
1 280 ֏
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 2 720 ֏
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\IGBT Transistors
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) IGBT PRODUCTS
Технические параметры
| Pd - рассеивание мощности | 125 W |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Другие названия товара № | IGB20N65S5 SP001502564 |
| Категория продукта | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (I |
| Коммерческое обозначение | TRENCHSTOP |
| Конфигурация | Single |
| Максимальная рабочая температура | + 175 C |
| Максимальное напряжение затвор-эмиттер | 20 V |
| Минимальная рабочая температура | 40 C |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 650 V |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 1.35 V |
| Непрерывный коллекторный ток при 25 C | 40 A |
| Непрерывный ток коллектора Ic, макс. | 40 A |
| Подкатегория | IGBTs |
| Размер фабричной упаковки | 1000 |
| Серия | Trenchstop IGBT5 |
| Технология | Si |
| Тип продукта | IGBT Transistors |
| Ток утечки затвор-эмиттер | 100 nA |
| Торговая марка | Infineon Technologies |
| Упаковка | Reel, Cut Tape |
| Упаковка / блок | TO-263-3 |
| Collector Emitter Saturation Voltage | 1.35В |
| Collector Emitter Voltage Max | 650В |
| Continuous Collector Current | 40А |
| Power Dissipation | 125Вт |
| Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
| Линейка Продукции | TRENCHSTOP 5 |
| Монтаж транзистора | Surface Mount |
| Стиль Корпуса Транзистора | TO-263(D2PAK) |
| Channel Type | N |
| Maximum Collector Emitter Voltage | 650 V |
| Maximum Continuous Collector Current | 20 A |
| Maximum Gate Emitter Voltage | ±20 V, ±30V |
| Maximum Power Dissipation | 125 W |
| Mounting Type | Through Hole |
| Number of Transistors | 1 |
| Package Type | TO-263 |
| Pin Count | 3 |
| Вес, г | 1.557 |
