IGP06N60T, IGBT Transistors LOW LOSS DuoPack 600V 6A
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
1 870 ֏
от 10 шт. —
1 470 ֏
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 1 870 ֏
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\IGBT Transistors
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) LOW LOSS DuoPack 600V 6A
Технические параметры
| Pd - рассеивание мощности | 88 W |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Высота | 9.25 mm |
| Длина | 10 mm |
| Другие названия товара № | SP000683040 IGP6N6TXK IGP06N60TXKSA1 |
| Категория продукта | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (I |
| Коммерческое обозначение | TRENCHSTOP |
| Конфигурация | Single |
| Максимальная рабочая температура | + 175 C |
| Максимальное напряжение затвор-эмиттер | 20 V |
| Минимальная рабочая температура | 40 C |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 600 V |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 1.5 V |
| Непрерывный коллекторный ток при 25 C | 12 A |
| Подкатегория | IGBTs |
| Размер фабричной упаковки | 500 |
| Серия | TRENCHSTOP IGBT |
| Технология | Si |
| Тип продукта | IGBT Transistors |
| Ток утечки затвор-эмиттер | 100 nA |
| Торговая марка | Infineon Technologies |
| Упаковка | Tube |
| Упаковка / блок | TO-252-3 |
| Ширина | 4.4 mm |
| Вес, г | 6 |
Техническая документация
Datasheet IGP06N60T
pdf, 489 КБ
