IGW30N60TPXKSA1, IGBTs Y
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
3 220 ֏
от 10 шт. —
2 160 ֏
от 100 шт. —
1 900 ֏
от 240 шт. —
1 750 ֏
1 шт.
на сумму 3 220 ֏
Описание
Unclassified
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) INDUSTRY 14
Технические параметры
Pd - рассеивание мощности | 200 W |
Вид монтажа | Through Hole |
Другие названия товара № | IGW30N60TP SP001379674 |
Категория продукта | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (I |
Коммерческое обозначение | TRENCHSTOP |
Конфигурация | Single |
Максимальная рабочая температура | + 175 C |
Максимальное напряжение затвор-эмиттер | 20 V |
Минимальная рабочая температура | 40 C |
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 600 V |
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 1.6 V |
Непрерывный коллекторный ток при 25 C | 53 A |
Подкатегория | IGBTs |
Размер фабричной упаковки | 240 |
Серия | Trenchstop Performance |
Технология | Si |
Тип продукта | IGBT Transistors |
Ток утечки затвор-эмиттер | 100 nA |
Торговая марка | Infineon Technologies |
Упаковка | Tube |
Упаковка / блок | TO-247-3 |
Channel Type | N |
Energy Rating | 1.13mJ |
Gate Capacitance | 1050pF |
Maximum Collector Emitter Voltage | 600 V |
Maximum Continuous Collector Current | 53 A |
Maximum Gate Emitter Voltage | ±20V |
Maximum Operating Temperature | +175 °C |
Maximum Power Dissipation | 200 W |
Minimum Operating Temperature | -40 °C |
Mounting Type | Through Hole |
Number of Transistors | 1 |
Package Type | TO-247 |
Pin Count | 3 |
Switching Speed | 30kHz |
Transistor Configuration | Single |
Вес, г | 6.054 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 1680 КБ
Datasheet IGW30N60TPXKSA1
pdf, 1458 КБ
Datasheet IGW30N60TPXKSA1
pdf, 1472 КБ