IGW40T120, IGBT Transistors LOW LOSS IGBT TECH 1200V 40A
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
7 700 ֏
от 10 шт. —
7 200 ֏
от 25 шт. —
5 900 ֏
от 100 шт. —
4 770 ֏
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 7 700 ֏
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\IGBT Transistors
Описание Транзистор БТИЗ IGW40T120 от производителя INFINEON – это высокомощный компонент для эффективного управления электрическими нагрузками. Предназначенный для монтажа в отверстия печатной платы (THT), данный транзистор способен выдерживать ток коллектора до 40 А и напряжение коллектор-эмиттер до 1200 В, обеспечивая превосходные характеристики в широком диапазоне применений. С максимальной мощностью 483 Вт и корпусом PG-TO247-3, этот IGBT транзистор является идеальным решением для систем управления мощностью. Продукт IGW40T120 сочетает в себе надежность и производительность, что делает его предпочтительным выбором для разработчиков и инженеров. Характеристики | Категория | Транзистор |
| Тип | БТИЗ |
| Вид | IGBT |
| Монтаж | THT |
| Ток коллектора, А | 40 |
| Напряжение коллектор-эмиттер, В | 1200 |
| Мощность, Вт | 483 |
| Корпус | PG-TO247-3 |
Технические параметры
| Case | TO247-3 |
| Collector current | 40A |
| Collector-emitter voltage | 1.2kV |
| Gate-emitter voltage | ±20V |
| Kind of package | tube |
| Manufacturer | INFINEON TECHNOLOGIES |
| Mounting | THT |
| Power dissipation | 270W |
| Pulsed collector current | 105A |
| Semiconductor structure | single transistor |
| Technology | TRENCHSTOP™ |
| Type of transistor | IGBT |
| Вес, г | 38 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 303 КБ
