IGW75N60H3, IGBTs IGBT PRODUCTS TrenchStop
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
6 400 ֏
от 25 шт. —
4 580 ֏
от 100 шт. —
3 940 ֏
1 шт.
на сумму 6 400 ֏
Описание
Unclassified
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) IGBT PRODUCTS TrenchStop
Технические параметры
| Pd - рассеивание мощности | 428 W |
| Вид монтажа | Through Hole |
| Другие названия товара № | IGW75N6H3XK SP000906804 IGW75N60H3FKSA1 |
| Категория продукта | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (I |
| Коммерческое обозначение | TRENCHSTOP |
| Конфигурация | Single |
| Максимальная рабочая температура | + 175 C |
| Максимальное напряжение затвор-эмиттер | 20 V |
| Минимальная рабочая температура | 40 C |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 600 V |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 1.85 V |
| Непрерывный коллекторный ток при 25 C | 140 A |
| Подкатегория | IGBTs |
| Размер фабричной упаковки | 240 |
| Серия | HighSpeed 3 |
| Технология | Si |
| Тип продукта | IGBT Transistors |
| Ток утечки затвор-эмиттер | 100 nA |
| Торговая марка | Infineon Technologies |
| Упаковка | Tube |
| Упаковка / блок | TO-247-3 |
| Вес, г | 6.165 |
Техническая документация
Datasheet IGW75N60H3
pdf, 462 КБ
