IGZ75N65H5XKSA1, IGBT Transistors IGBT PRODUCTS

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

7 400 ֏

от 10 шт. — 6 200 ֏

от 25 шт. — 5 600 ֏

Добавить в корзину 1 шт. на сумму 7 400 ֏

Номенклатурный номер: 8005240009

Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\IGBT Transistors

Описание Высокоскоростная серия IGBT 650 В пятого поколения Характеристики

Pd - рассеивание мощности	395 W
Вид монтажа	Through Hole
Другие названия товара №	IGZ75N65H5 SP001160054
Категория продукта	Биполярные транзисторы с изолированным затвором (I
Коммерческое обозначение	TRENCHSTOP
Конфигурация	Single
Максимальная рабочая температура	+ 175 C
Максимальное напряжение затвор-эмиттер	+/- 20 V
Минимальная рабочая температура	40 C
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.	650 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер	1.65 V
Непрерывный коллекторный ток при 25 C	119 A
Подкатегория	IGBTs
Размер фабричной упаковки	240
Серия	TRENCHSTOP 5 H5
Технология	Si
Тип продукта	IGBT Transistors
Ток утечки затвор-эмиттер	100 nA
Торговая марка	Infineon Technologies
Упаковка	Tube
Упаковка / блок	TO-247-4
Вес, г	1