IHW20N65R5, IGBT Transistors IGBT PRODUCTS TrenchStop 5

IHW20N65R5, IGBT Transistors IGBT PRODUCTS TrenchStop 5
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
2 540 ֏
от 10 шт.1 920 ֏
от 100 шт.1 500 ֏
от 240 шт.1 390 ֏
Добавить в корзину 1 шт. на сумму 2 540 ֏
Номенклатурный номер: 8005240014

Описание

Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\IGBT Transistors
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) IGBT PRODUCTS TrenchStop 5

Технические параметры

Pd - рассеивание мощности 150 W
Вид монтажа Through Hole
Диапазон рабочих температур 40 C to + 175 C
Другие названия товара № SP001133100 IHW20N65R5XKSA1
Категория продукта Биполярные транзисторы с изолированным затвором (I
Коммерческое обозначение TRENCHSTOP
Конфигурация Single
Максимальная рабочая температура + 175 C
Максимальное напряжение затвор-эмиттер 20 V
Минимальная рабочая температура 40 C
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 650 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер 1.35 V
Непрерывный коллекторный ток при 25 C 40 A
Подкатегория IGBTs
Размер фабричной упаковки 240
Серия TRENCHSTOP 5 RC-H
Технология Si
Тип продукта IGBT Transistors
Ток утечки затвор-эмиттер 100 nA
Торговая марка Infineon Technologies
Упаковка Tube
Упаковка / блок TO-247-3
Вес, г 6

Техническая документация

Datasheet IHW20N65R5
pdf, 2055 КБ