IHW40N60RF, IGBTs IH SeriesRev Conduct IGBT Monolithic Bod
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
5 800 ֏
от 10 шт. —
4 490 ֏
1 шт.
на сумму 5 800 ֏
Описание
Unclassified
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) IH SeriesRev Conduct IGBT Monolithic Body
Технические параметры
| Pd - рассеивание мощности | 305 W |
| Вид монтажа | Through Hole |
| Другие названия товара № | IHW4N6RFXK SP000621080 IHW40N60RFFKSA1 |
| Категория продукта | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (I |
| Коммерческое обозначение | TRENCHSTOP |
| Конфигурация | Single |
| Максимальная рабочая температура | + 175 C |
| Максимальное напряжение затвор-эмиттер | 20 V |
| Минимальная рабочая температура | 40 C |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 600 V |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 2.1 V |
| Непрерывный коллекторный ток при 25 C | 80 A |
| Непрерывный ток коллектора Ic, макс. | 40 A |
| Подкатегория | IGBTs |
| Размер фабричной упаковки | 240 |
| Серия | RC |
| Технология | Si |
| Тип продукта | IGBT Transistors |
| Ток утечки затвор-эмиттер | 100 nA |
| Торговая марка | Infineon Technologies |
| Упаковка | Tube |
| Упаковка / блок | TO-247-3 |
| Вес, г | 4.43 |
Техническая документация
Datasheet IHW40N60RF
pdf, 1974 КБ
