IKD03N60RFATMA1, IGBT Transistors IGBT w/ INTG DIODE 600V 5A
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
1 200 ֏
от 10 шт. —
940 ֏
от 100 шт. —
700 ֏
от 500 шт. —
550 ֏
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 1 200 ֏
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\IGBT Transistors
Описание Транзистор IGBT, TRENCHSTOP™ RC, 600В, 6А, 53,6Вт, DPAK Характеристики | Категория | Транзистор |
| Тип | БТИЗ |
| Вид | IGBT |
Технические параметры
| Collector Emitter Saturation Voltage | 2.2В |
| Collector Emitter Voltage Max | 600В |
| Continuous Collector Current | 6.5А |
| Power Dissipation | 53.6Вт |
| Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
| Линейка Продукции | TRENCHSTOP RC |
| Максимальная Рабочая Температура | 175°C |
| Монтаж транзистора | Surface Mount |
| Стиль Корпуса Транзистора | TO-252(DPAK) |
| Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) | MSL 1-Безлимитный |
| Channel Type | N |
| Configuration | Single |
| Maximum Collector Emitter Voltage | 600 V |
| Maximum Continuous Collector Current | 6.5 A |
| Maximum Gate Emitter Voltage | 20V |
| Maximum Power Dissipation | 53.6 W |
| Number of Transistors | 1 |
| Package Type | PG-TO252 |
| Pin Count | 3 |
| Transistor Configuration | Single |
| Вес, г | 1 |
Техническая документация
Datasheet IKD03N60RFATMA1
pdf, 1818 КБ
