IKD04N60RATMA1, IGBT Transistors IGBT w/ INTG DIODE 600V 8A

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

940 ֏

от 10 шт. — 760 ֏

от 100 шт. — 600 ֏

от 500 шт. — 479 ֏

Добавить в корзину 1 шт. на сумму 940 ֏

Номенклатурный номер: 8005240051

Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\IGBT Transistors

Описание Транзистор IGBT, TRENCHSTOP™ RC, 600В, 4А, 75Вт, DPAK Характеристики

Pd - рассеивание мощности	75 W
Вид монтажа	SMD/SMT
Другие названия товара №	IKD04N60R SP000964626
Категория продукта	Биполярные транзисторы с изолированным затвором (I
Коммерческое обозначение	TRENCHSTOP
Конфигурация	Single
Максимальная рабочая температура	+ 175 C
Максимальное напряжение затвор-эмиттер	20 V
Минимальная рабочая температура	40 C
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.	600 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер	1.65 V
Непрерывный коллекторный ток при 25 C	8 A
Подкатегория	IGBTs
Размер фабричной упаковки	2500
Серия	Trenchstop RC
Технология	Si
Тип продукта	IGBT Transistors
Ток утечки затвор-эмиттер	100 nA
Торговая марка	Infineon Technologies
Упаковка / блок	TO-252-3
Вес, г	0.3167